技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES許多壽命測量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在極低的注入濃度下都存在異常高的測量壽命。這種效應是由于樣品中的捕獲中心造成的。這些捕獲中心對于了解材料中載流子的行為非常重要，并且也會(huì )對太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率來(lái)測量缺陷密度和這些缺陷中心的活化能。借助MDPmap和MDPingot，可以通過(guò)一次測量來(lái)測量光電導率以及少數載流子壽命，并在寬注入范圍內實(shí)現全自動(dòng)測量。巧妙的算法可以確定樣品中的缺陷濃度。根據注入相關(guān)壽命曲線(xiàn)，可以確定低注入下的壽命τLL...
鋰離子電池，由于其具有高能量密度和體積能量密度，循環(huán)壽命長(cháng)，無(wú)記憶效應等優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越受到市場(chǎng)和消費者的青睞，這也推動(dòng)了鋰離子電池的快速發(fā)展和針對其研究的不斷深入。XRM憑借著(zhù)其能在無(wú)損情況下表征樣品真實(shí)三維結構的特點(diǎn)，在近些年逐漸成為鋰電池研究中的重要表征手段之一，且應用范圍也在不斷擴展。實(shí)例一軟包電池多尺度表征BrukerSkyscan2214樣品整體掃描，11um局部高分辨掃描，正極，1um局部高分辨掃描，隔膜，0.15um電池正極顆粒粒徑分布（左圖）及孔徑分布（右圖）實(shí)...
藥物大部分以晶體的形式存在，利用X射線(xiàn)衍射，我們可以獲得每種不同的晶型的藥物特征的衍射信息。如同指紋一樣，在數據庫中每種晶型都有特征的衍射圖譜。即使對于含有多成分的固體制劑而言，其中原料藥與輔料各自對應的粉末X射線(xiàn)衍射圖譜不會(huì )發(fā)生變化，可作為藥物晶型定性判斷的依據。因而對于未知的藥物樣品，通過(guò)PXRD，我們可以很快通過(guò)比對實(shí)測圖中的衍射峰的位置，強度，從已有數據庫中查到原料藥的晶體結構相匹配的衍射圖譜，從而準確鑒定該藥物的晶型。PXRD對于藥物晶型的定性研究主要分為兩個(gè)方面：...
局域結構是指構成材料的原子或離子在幾個(gè)晶胞尺度范圍內（具體來(lái)說(shuō)，使用X射線(xiàn)等探針對目標樣品進(jìn)行散射實(shí)驗后，獲得的信號強度I隨Q的分布函數I（Q）（Q=4πsinθ/λ）中同時(shí)包含了相干散射、非相干散射以及背景信號，扣除背景后按照下式進(jìn)行處理從而獲得全散射函數S(Q)：而后，對S(Q)-1以Q為權重處理后（即Q[S(Q)-1]，也被稱(chēng)作F(Q)），再進(jìn)行傅里葉變換，即可得到對分布函數G(r)：對于不同結構的材料，其原子對的分布規律也各不相同，圖1展示了立方堆積和六方堆積的G(r...
1925年P(guān)ierreAuger在威爾遜云室中發(fā)現了俄歇電子，并進(jìn)行了理論解釋?zhuān)硇娮右运拿置?953年，JamesJosephLander使用了電子束激發(fā)俄歇電子能譜，并探討了俄歇效應應用于表面分析的可能性。1967年LarryHarris提出了微分處理來(lái)增強AES譜圖信號。美國明尼蘇達大學(xué)的RolandWeber,PaulPalmberg和他們的導師BillPeria進(jìn)行的研究揭示了俄歇電子能譜的表面靈敏特性，研制了早期商用俄歇表面分析儀器（如圖1所示），并基于...
晶圓片在線(xiàn)面掃檢測儀是一種用于半導體行業(yè)的高精度設備，通過(guò)實(shí)時(shí)檢測和分析晶圓片表面的缺陷和污染物，提高半導體生產(chǎn)質(zhì)量。作為半導體制造過(guò)程的重要環(huán)節，在線(xiàn)面掃檢測儀能夠提供高效、準確的檢測和分析，幫助半導體工廠(chǎng)及時(shí)發(fā)現和解決潛在問(wèn)題，保證產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。該在線(xiàn)面掃檢測儀利用高分辨率的光學(xué)傳感器和圖像處理技術(shù)，能夠對晶圓片表面進(jìn)行快速、全面的檢測。它能夠檢測并分類(lèi)各種缺陷和污染物，如劃痕、斑點(diǎn)、氣泡、污染和裂紋等，提供精確的位置和尺寸信息。通過(guò)分析采集到的圖像和數據，在線(xiàn)面掃檢...
高分辨率X射線(xiàn)衍射(HRXRD)是一種強大的無(wú)損檢測方法，其研究對象主要是單晶材料、單晶外延薄膜材料以及各種低維半導體異質(zhì)結構。普遍用于單晶質(zhì)量、外延薄膜的厚度、組分、晶胞參數、缺陷、失配、弛豫、應力等結構參數的測試?，F代HRXRD與常規XRD的區別主要體現在：（1）高度平行且高度單色的高質(zhì)量X射線(xiàn)；（2）不僅要測試倒易格點(diǎn)的位置（角度），還要測試倒易格點(diǎn)的形狀（缺陷）；（3）更高的理論要求-動(dòng)力學(xué)理論。GaN做第三代半導體，目前用于電力電子、高頻器件和發(fā)光二極管(LED)技...
由于X射線(xiàn)可以對樣品進(jìn)行無(wú)損的檢測，現代的X射線(xiàn)衍射儀可以對藥物樣品進(jìn)行普遍的原位分析。比如不同溫度下，不同濕度，不同壓力下的晶型的變化。這些原位的研究方法不僅可以分析藥物晶型的穩定性，還可以為發(fā)現新晶型提供新的研究思路和方法。圖1不同溫度下的晶型衍射圖譜變化（Storey,PfizerGlobalR&D(2003)隨著(zhù)藥物晶型監管力度逐步增加，單純的定性分析原料藥API或制劑中的晶型已不能滿(mǎn)足質(zhì)量研究的要求，對藥物制劑中的有效晶型的定量分析，是藥物生產(chǎn)中質(zhì)量控制過(guò)程中非常重...
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